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单词 等离子体源离子注人
释义

【等离子体源离子注人】
 

拼译:plasma source ion implanlation
 

简称PSⅡ,是材料表面改性的一种新技术。低温等离子体以及常规离子注入,都可以用于材料表面改性。低温等离子体能使材料表面改性,诸如改善材料表面的粘合性、润湿性等,但这些性能的改善不耐久,即改善的性能要随着放置时间的增加而衰减。用常规离子注入方法改善的性能是持久的,但它是一种所谓的“直视”加工,所以在加工过程中要求用离子束线对样品扫描。为了使注入均匀,往往还要求被注入样品在注入过程中要不断转动。从而它除了要求加速器加速离子外,还需要转动装置转动离子束扫描系统及样品。这样不但操作复杂,并且成本也高,特别是对于形状比较复杂的样品,用常规离子注入,几乎无法使其注入均匀。

等离子体源离子注入是1986年由康拉德(Conrad)等首先提出的,其后又陆续报导了他们的一些研究成果,现在国内也有几个单位正在进行研究。它是将被注入样品置于等离子体之中,在安放样品的靶极上加上负高压脉冲,这样等离子体中的正离子在负高压的作用下,从四面八方向样品射来,达到离子注入的目的。由于正离子是从四面八方射来的,所以就不需要离子束的扫描,也不用转动样品,更不用加速器来对离子加速。所以它与常规离子注入相比,有操作简单、成本低、注入均匀等优点。对形状复杂的样品,更显示其优越性。由于等离子体源离子注入与常规离子注入一样,离子是注入到样品表面层内一定深度的,故它不会像等离子体改性那样有衰退效应,它的改性效果是持久的。

等离子体源离子注入装置分注入与检测2个部分,注入部分由高真空工作室、靶极、负高压脉冲发生器(0-100kV连续可调)、抽真空系统、等离子体发生器电源等组成,体测部分由真空检测仪、郎谬尔探针(测量等离子体电子温度与离子密度)、靶温测量系统等组成。如果要注入固体材料的离子(例如钛离子),真空工作室内还需要一个升华(或蒸发)器。为了约束等离子体,在器壁外还需要加一个能产生一定磁场位形的磁铁装置。工作气压一般为10-2Pa,负高压脉冲宽度及频率可根据需要来选择,但要求在脉冲幅度不为零的这一间隔内,靶极周围形成的正离子鞘不致扩散到器壁,或与相邻靶极的正离子鞘层相重叠。

等离子体源离子注入的工作原理,大致可用3个步骤来描述:(1)当t=0时,靶极的电位为零。加上负高压脉冲后,靶极电位为-Vo,此时等离子体中的电子受靶极排斥而远离靶极,而正离子被靶极上的负电位所吸引。由于电子质量m远小于离子质量mi,故在靶周围形成正离子鞘层。这一过程在时间内完成。ωpe为等离子体电子振荡频率。(2)形成正离子鞘后,约在时间内,鞘内的正离子受靶极负高压作用而加速,并从四面八方向靶极表面层内注入。ωpi为等离子体离子振荡频率。(3)正离子鞘一旦形成后,它要以等离子体离子声速的速度向周围扩散,鞘的边界也逐渐向周围膨胀。所以脉宽Tp要选择确当,避免在负脉冲消失之前,正离子鞘层与器壁相接触或与相邻靶的正离子鞘层相重叠,不然会影响注入的均匀性,甚至使真空工作室内放电熄灭。

康拉德等人的试验发现,用PSⅡ注入后的M-2冲头的寿命有惊人的增加。他们用经PSⅡ注入,直径为1.27cm的冲头,来冲轧厚度为0.635~1.588cm的低碳钢板,发现它的寿命可增加70~80倍。未经注入的冲头,冲500个孔后,周围就产生毛口,而经PSⅡ注入过的冲头,冲38000个孔后,冲头仍很锋利,一些冲头在冲43000个孔后,在边缘才出现微小的磨损。他们用PSⅡ注入的工作条件是,工作气体为氮,负脉冲幅度为30~60kV,注入剂量为2×1017~8×1017cm-2。PSⅡ注入也可增加显微硬度,例如5160钢块经PSⅡ用40keV能量,剂量为3×1017cm-2的氮离子注入后,其knoop硬度与未注入时相比增加25%,与经热处理的相似。但热处理后,再经PSⅡ注入,其knoop硬度与只经热处理的相比,要增加一倍。

为了验证PSⅡ注入的均匀性,康拉德等人用4个Ti-6A1-4V合金钢球组成2×2方列,用3×109cm-3密度的氮等离子体,50kev能量的离子注入,表1是注入时的PSⅡ参量,他们用卢瑟福(Rutherford)背散射谱(RBS)测量靶上9个不同位置的注入剂量与注入的平均射程(其数据见表2)。用平均值及标准误差表示的注入剂量及注入平均射程分别为(2.7±0.4)×1017atomscm-2及860±130A。在表2中,P1的值偏大,从而P9的值偏小,这是因为P1是在靶的顶部中央,它距真空室顶部有22cm,已远大于在脉宽期间正离子鞘的扩散半径,受器壁与邻近靶的影响最小,而P9在靶的侧面,它离器壁较近,正离子鞘有可能与器壁接触。但P1与P9处的值与平均值相比,也小于22%。

表1 PSⅡ参量

表2 注入剂量与平均射程

1990年康拉德等人提出用PSⅡ进行离子束增强涂层(Ion beem enhanced deposition-IBED)。它的步骤是这样的:(1)用氩等离子体用溅射方法在样品上涂上350A厚的钛(Ti)层;(2)用氮等离子体,以55keV能量的氮离子进行注入,注入剂量为4.0×1016cm-2;(3)反复(1)及(2)过程8次。他们测量了样品处理前后的knoop硬度,未经处理样品的knoop硬度为490±50kgf/mm2,而经上述处理后样品的knoop硬度为730±110kgf/mm2,二者相比,经过处理的样品的knoop硬度增加了49%。

PSⅡ是一种新颖的材料表面改性技术,目前虽尚未像低温等离子体及常规离子注入那样广泛使用,但理论分析与实验结果表明,PSⅡ技术可获得与常规离子注入表面改性同样的效果,并且由于它消除了“直视”加工,故结构简单,操作方便,便于推广应用。

【参考文献】:

1 Conrad J R,Radtke J L.J ApplPhys,1987,62:4591~4596

2 Conrad J R,J ApplPhys,1987,62:777~779

3 Lieberman M A.J Appl Phys,1989,66:2926~2929

4 Conrad J R.Meterial Sci and Eng 1989,A116:197~203

5 Conrad J R.J ApplPhys 1989,65:1707~1712

6 Conrad J R.J Vac Sci Technol,1990,A8:3146~3151

(中国纺织大学吴知非教授撰)

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