“spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory”的概念、定义、翻译、参考文献-科学参考

spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory

Encyclopedia

理学计算机存储部件释
spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory; STT-MRAM自旋转移力矩磁阻随机存取存储器
自旋力矩技术是利用“拥有自旋角动量的属性的电子或其他粒子”的一种技术。其中自旋角动量是两种量子力学角动量之一。自旋力矩存储技术利用穿过磁场的电流来改变电子自旋向上或向下。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器有潜力成为比闪存（flash memory）更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存储器。它也不是一种像闪存这样的破坏性技术，没有闪存的抗磨损寿命问题。

单词	spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory
释义	spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory Encyclopedia 理学计算机存储部件释 spin-transfer-torque magnetoresistive random-access memory; STT-MRAM自旋转移力矩磁阻随机存取存储器自旋力矩技术是利用“拥有自旋角动量的属性的电子或其他粒子”的一种技术。其中自旋角动量是两种量子力学角动量之一。自旋力矩存储技术利用穿过磁场的电流来改变电子自旋向上或向下。自旋转移力矩磁阻随机存取存储器有潜力成为比闪存（flash memory）更高密度、更少成本、更低功耗的非易失性存储器。它也不是一种像闪存这样的破坏性技术，没有闪存的抗磨损寿命问题。
随便看	应变能理论应变莫尔圆应变观察镜应变规应变计应变计划应变[计]式传感器应变转轴公式应变软化应变退火应变速度应变速率应变速率矢量应变遥测技术应变量应变量子阱应变量度应国墓地应城市应堂阶应天书院应天府应天府书院应奉应季先