| 单词 | 砷化镓 |
| 释义 | 【砷化镓】 拼译：gallium arsenic 1875年，法国化学家杰·布阿博兰从闪锌矿中发现了一种奇妙的金属，它闪耀着银白色的光泽，如果把它放在手掌上，它马上就会融化，宛如荷叶上的晶莹水珠。它的熔点很低，仅为29．8℃，然而沸点却高达1983℃，这种金属就是镓。镓与砷的化合物砷化镓开始崭露头角，是由于它能在高温、高频下工作，而且抗辐射能力强，因此用它可以制作低噪声器件、高效率激光器以及红外光源，此外，砷化镓还是制造微波器件的合适材料。自从晶体管问世以来，硅半导体材料一直在微电子技术中占据着统治地位，然而，后来它受到了砷化镓咄咄逼人的挑战。电子在砷化镓中运动的速度要比在硅中快5至6倍，而且寄生电容小、功率消耗低，再加上它的生产工艺过程与硅集成电路差不多，因此有可能取代硅而成为新一代的半导体材料。据报道，日本已用砷化镓材料研制成功16K位存贮器，即在长7．2毫米、宽6．22毫米的芯片上集成了10万个晶体管，其集成度是硅半导体存贮器件的4倍。这种砷化镓大规模集成电路如果实用化，可以用在超高速电子计算机上。在逻辑器件方面，日本已开发了集500个电路的阵列大规模砷化镓集成电路，开关时间达到80微微秒，比硅集成电路的400微微秒提高35倍。集发光、光电转换、放大等三大功能于一身的镓砷双极性晶体管也已研制成功。目前，人们已经做出厚度为一个分子层的硅化镓的单晶。这项技术，使得人们想制造性能优越的约瑟夫逊器件、开关速度可达1微微秒的半导体器件的愿望不再是梦想。砷化镓将在半导体器件方面大显身手。 |
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